Вследствие резких и многократных (циклических) изменений температуры возможно;
разрушение (трещины) кристаллов вещества; деформации и разрушения защитных и других покрытий, материалов;
возникновение механических напряжений в местах спаев и соединений материалов с различными теплофизическими свойствами, их усталостные разрушения; увлажнение материалов.
Перечисленные температурные воздействия приводят к тепловому старению, формированию и развитию различных дефектов, приводящих к отказам.
Типичными проявлениями перечисленных дефектов являются:
ухудшение электрических характеристик; пробой переходов элементов;
обрывы и короткие замыкания токопроводящих цепей; потеря герметичности, ухудшение влагопрочностных характеристик корпусов электронных элементов.
В еще большей степени все указанные явления интенсифицируются при многократных повторных циклических изменениях температуры (термоииклировании).
При циклических изменениях температуры (особенно с переходами через точки росы) происходят циклические процессы конденсации и испарения воды, так как процессы переменного увлажнения и осушения материалов изделия связаны с соответствующими изменениями их прочностных механических, электрических, химических свойств, с последующим ослаблением и разрушением материала. При циклических переходах через точку замерзания воды образующиеся в микротрещинах кристаллы льда производят дальнейшее разрушение материала.
Термоциклирование без влаги ведет к возникновению в материалах циклических знакопеременных усилий, напряжений и деформаций как упругих, так и остаточных, что ведет к усталостному разрушению материалов. В этом смысле действие циклического изменения температуры адекватно действию низкочастотных циклических пространственных механических нагружений, например циклического изменения давления внешней среды.
Это позволяет оценивать и сравнивать дестабилизирующие воздействия различных режимов термоциклирования по соответствующим им работам или энергиям температурных деформаций, как это принято в сопротивлении материалов и теории упругости.