Практически чувствительные элементы магниторезистивных датчиков изготавливают с помощью методов технологии микроэлектроники в виде пленочных резисторов с меандровой топологией, имеющих сопротивление от десятков Ом до нескольких килоом. Поскольку при измерениях с помощью этих датчиков часто используют мостовые схемы, то и чувствительный элемент в таких случаях целесообразно выполнять сразу в виде двух магниторезисторов (измерительного и термо- компенсационного), различно ориентированных относительно друг друга.

С помощью магниторезистивных датчиков можно определить как частоту вращения, так и текущее положение интересующего объекта.  На выходе датчика возникает периодический сигнал определенной частоты, соответствующей частоте вращения объекта. Аналоговый сигнал пропорционален угловому положению магнитной системы относительно магниторезистивного чувствительного элемента.

При изменении температуры окружающей среды возможна нестабильность выходного сигнала датчика, вызванная изменением сопротивления магнитного резистора, которое может составлять от -0,02 % на 1° у металлических магнитов, до -0,2 % на Г у ферритных магнитов. Однако с помощью электронных средств данная температурная погрешность может быть легко скомпенсирована. Поэтому диапазон рабочих температур для магнитореэистивных датчиков составляет -4О...4150 "С. В целом магнитореэистивные датчики отличаются простотой конструкции и надежностью.